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7 relaciones: Celda de memoria, DRAM, Memoria (informática), Memoria de línea de retardo, Memoria de núcleos magnéticos, SRAM, Tubo Williams.
Celda de memoria
La celda de memoria o posición de memoria es el elemento base fundamental en el que se basa la memoria informática.
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DRAM
La memoria dinámica de acceso aleatorio o DRAM (del inglés dynamic random-access memory) es un tipo de tecnología de memoria de acceso aleatorio (RAM) basada en condensadores, los cuales pierden su carga progresivamente, necesitando de un circuito dinámico de refresco que, cada cierto período, revisa dicha carga y la repone en un ciclo de refresco.
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Memoria (informática)
En informática, la memoria es el dispositivo que retiene, memoriza o almacena datos informáticos durante algún periodo de tiempo.
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Memoria de línea de retardo
Una memoria de línea de retardo es un dispositivo capaz de almacenar datos aprovechando el tiempo que necesita una señal para propagarse por un medio físico.
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Memoria de núcleos magnéticos
La memoria de núcleos magnéticos, memoria de ferrita o memoria de toros, fue una forma de memoria principal de los computadores, hasta comienzos de 1970.
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SRAM
SRAM son las siglas de la voz inglesa Static Random Access Memory, que significa memoria estática de acceso aleatorio (o RAM estática), para denominar a un tipo de tecnología de memoria RAM basada en semiconductores, capaz de mantener los datos, mientras siga alimentada, sin necesidad de circuito de refresco.
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Tubo Williams
El tubo Williams o tubo Williams-Kilburn (inventado por Freddie Williams y Tom Kilburn), desarrollado alrededor de 1946 o 1947, era un tubo de rayos catódicos usado para almacenar electrónicamente datos binarios.
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