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Transistor de unión bipolar

Índice Transistor de unión bipolar

El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales.

34 relaciones: Arseniuro de galio, Bell Telephone Company, BiCMOS, Circuito equivalente, Componente electrónico, Corriente alterna, Corriente continua, Corriente eléctrica, Diodo, Dopaje (semiconductores), Electrón, Electrónica analógica, Electrónica digital, Epitaxia, Germanio, Hueco de electrón, Idioma inglés, Impedancia, John Bardeen, Ley de Ohm, Sólido, Semiconductor, Semiconductor complementario de óxido metálico, Silicio, Tecnología TTL, Transistor, Transistor de contacto, Transistor IGBT, Transistor uniunión, Unión PN, Walter Houser Brattain, William Bradford Shockley, 1947, 1948.

Arseniuro de galio

El arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de galio y arsénico.

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Bell Telephone Company

Bell Telephone Company fue una empresa estadounidense de telecomunicaciones creada el 9 de julio de 1877 por Alexander Graham Bell y por Gardiner Greene Hubbard, quien también ayudó a organizar una empresa hermana - la New England Telephone and Telegraph Company.

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BiCMOS

BiCMOS (contracción de Bipolar-CMOS) es el nombre de una tecnología de fabricación de circuitos integrados que combina las ventajas de las tecnologías bipolar y CMOS integrándolas juntas en un mismo wafer.

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Circuito equivalente

En electrónica, un circuito equivalente es un circuito que conserva todas las características eléctricas de un circuito dado.

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Componente electrónico

Un componente electrónico es un dispositivo que forma parte de un circuito electrónico.

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Corriente alterna

Se denomina corriente alterna (CA o AC, por sus siglas en inglés de Alternating current) a la corriente eléctrica en la que la magnitud y el sentido varían cíclicamente.

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Corriente continua

La corriente continua (abreviada CC en español, así como DC en inglés) se refiere al flujo continuo de carga eléctrica a través de un conductor entre dos puntos de distinto potencial y carga eléctrica, que no cambia de sentido con el tiempo.

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Corriente eléctrica

La corriente eléctrica es el flujo de carga eléctrica que recorre un material.

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Diodo

Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido, bloqueando el paso si la corriente circula en sentido contrario, no solo sirve para la circulación de corriente eléctrica sino que este la controla y resiste.

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Dopaje (semiconductores)

En la producción de semiconductores, se le denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor (abreviadamente, SC) extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas.

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Electrón

En física, el electrón (del griego clásico ἤλεκτρον ḗlektron 'ámbar'), comúnmente representado por el símbolo e−, es una partícula subatómica con una carga eléctrica elemental negativa.

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Electrónica analógica

La electrónica analógica es una rama de la electrónica que estudia los sistemas cuyas variables (tensión, corriente, etc.) varían de una forma continua en el tiempo y pueden tomar (al menos teóricamente) valores infinitos.

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Electrónica digital

La electrónica digital es la rama de la electrónica más moderna y que evoluciona más rápidamente.

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Epitaxia

La epitaxia o crecimiento epitaxial es uno de los procesos en la fabricación de circuitos integrados.

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Germanio

El germanio (latín: Germanium) es un elemento químico con número atómico 32, y símbolo Ge perteneciente al período 4 de la tabla periódica de los elementos.

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Hueco de electrón

Un hueco de electrón, o simplemente hueco, es la ausencia de un electrón en la banda de valencia que estaría normalmente completa sin el «hueco».

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Idioma inglés

El idioma inglés (English) es una lengua germánica occidental perteneciente a la familia de lenguas indoeuropeas, que surgió en los reinos anglosajones de Inglaterra.

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Impedancia

La impedancia (Z) es una medida de oposición que presenta un circuito a una corriente cuando se aplica una tensión.

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John Bardeen

John Bardeen (Madison, 23 de mayo de 1908-Boston, 30 de enero de 1991) fue un ingeniero eléctrico y físico estadounidense galardonado con los Premios Nobel de Física de los años 1956 y 1972, convirtiéndose junto a Marie Curie, Linus Pauling, Frederick Sanger y Barry Sharpless en las únicas personas galardonadas dos veces con el Premio Nobel.

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Ley de Ohm

La ley de Ohm, postulada por el físico y matemático alemán Georg Simon Ohm, es una ley básica para entender los fundamentos principales de los circuitos eléctricos.

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Sólido

El sólido (del latín solĭdus) es un estado de agregación de la materia, que se caracteriza porque opone resistencia a cambios de forma y de volumen.

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Semiconductor

Un semiconductor es un elemento que se comporta o bien como un conductor o bien como un aislante dependiendo de diversos factores, por ejemplo: el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.

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Semiconductor complementario de óxido metálico

El semiconductor complementario de óxido metálico o complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) es una de las familias lógicas empleadas en la fabricación de circuitos integrados.

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Silicio

El silicio (del latín: sílex) es un elemento químico metaloide, número atómico 14 y situado en el grupo 14 de la tabla periódica de los elementos de símbolo Si.

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Tecnología TTL

TTL es la sigla en inglés de transistor-transistor logic, es decir, «lógica transistor a transistor».

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Transistor

El transistor es un dispositivo electrónico utilizado para amplificar o cambiar señales y potencias eléctricas.

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Transistor de contacto

El transistor de contacto fue el primer tipo de transistor que se demostró con éxito.

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Transistor IGBT

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia.

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Transistor uniunión

El transistor uniunión o transistor unijuntura (UJT del inglés UniJuntion Transistor) es un tipo de transistor constituido por dos zonas semiconductoras y, por lo tanto, una juntura p-n. El nombre del dispositivo surge de esta última característica.

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Unión PN

Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los componentes electrónicos comúnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores.

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Walter Houser Brattain

Walter Houser Brattain (Amoy, China, 10 de febrero de 1902 - 13 de octubre de 1987) fue uno de los físicos que inventó el transistor.

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William Bradford Shockley

William Bradford Shockley (13 de febrero de 1910 - 12 de agosto de 1989) fue un físico estadounidense.

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1947

1947 fue un año común comenzado en miércoles según el calendario gregoriano.

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1948

1948 fue un año bisiesto comenzado en jueves según el calendario gregoriano.

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Redirecciona aquí:

BJT, TBJ, Transistor BJT, Transistor NPN, Transistor NPN bipolar, Transistor PNP, Transistor bipolar, Transistor de Juntura Bipolar, Transistor de juntura bipolar, Transistor de union bipolar.

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