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Intel 1103

Índice Intel 1103

El Intel 1103 es el primer chip de memoria dinámica de acceso aleatorio conocido, y esta ampliamente reconocido como el chip que reemplazó a la memoria de núcleos magnéticos.

20 relaciones: Capacidad eléctrica, Celda de memoria, Circuito integrado, Dólar estadounidense, DRAM, Dual in-line package, Estados Unidos, Europa, Fairchild Semiconductor, Honeywell, Intel, Japón, Memoria de núcleos magnéticos, Millardo, Motorola Mobility, National Semiconductor, Oblea (electrónica), Proceso de 10 µm, Signetics, Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor.

Capacidad eléctrica

En electromagnetismo y electrónica, la capacidad eléctrica es la propiedad que tienen los cuerpos para mantener una carga eléctrica.

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Celda de memoria

La celda de memoria o posición de memoria es el elemento base fundamental en el que se basa la memoria informática.

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Circuito integrado

Un circuito integrado (CI), también conocido como chip o microchip, es una estructura de pequeñas dimensiones de material semiconductor, normalmente silicio, de algunos milímetros cuadrados de superficie (área), sobre la que se fabrican circuitos electrónicos generalmente mediante fotolitografía y que está protegida dentro de un encapsulado plástico o de cerámica.

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Dólar estadounidense

El dólar estadounidense o dólar americano (también abreviado con el símbolo $ o con su abreviatura alfabética estándar internacional USD) es la moneda de curso legal de Estados Unidos, sus dependencias y otros países.

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DRAM

La memoria dinámica de acceso aleatorio o DRAM (del inglés dynamic random-access memory) es un tipo de tecnología de memoria de acceso aleatorio (RAM) basada en condensadores, los cuales pierden su carga progresivamente, necesitando de un circuito dinámico de refresco que, cada cierto período, revisa dicha carga y la repone en un ciclo de refresco.

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Dual in-line package

Un empaquetado/paquete de doble hilera o dual in-line package (DIP o DIL) es una forma de encapsulamiento, común en la construcción de circuitos integrados que consiste en un bloque con dos hileras paralelas de pines; la cantidad de estos depende de cada circuito.

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Estados Unidos

«EUA», «US», «USA» y «United States» redirigen aquí.

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Europa

Europa es un continente ubicado enteramente en el hemisferio norte y mayoritariamente en el hemisferio oriental.

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Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor fue una compañía norteamericana fundada en 1957 que introdujo en el mercado el primer circuito integrado comercialmente viable (lanzado ligeramente antes que otro de Texas Instruments), y se convirtió en uno de los mayores actores en la evolución de Silicon Valley en los años 1960.

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Honeywell

Honeywell es una importante empresa multinacional estadounidense que produce una variedad de productos de consumo, servicios de ingeniería y sistemas aeroespaciales para una amplia variedad de clientes, desde compradores particulares hasta grandes corporaciones y gobiernos.

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Intel

Intel Corporation es el mayor fabricante de circuitos integrados del mundo según su cifra de negocio anual.

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Japón

Japón (日本, Nippon o Nihon), cuyo nombre oficial es Estado del Japón, es un país insular de Asia Oriental ubicado en el noroeste del océano Pacífico.

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Memoria de núcleos magnéticos

La memoria de núcleos magnéticos, memoria de ferrita o memoria de toros, fue una forma de memoria principal de los computadores, hasta comienzos de 1970.

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Millardo

Un millardo es el número natural equivalente a mil millones o, en notación científica, 109.

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Motorola Mobility

Motorola, cuya razón social es Motorola Mobility LLC, es una empresa estadounidense de telecomunicaciones y electrónica de consumo, y filial del conglomerado tecnológico chino Lenovo.

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National Semiconductor

National Semiconductor (más conocida como "National") fue un fabricante de semiconductores estadounidense, que se especializó en dispositivos y subsistemas analógicos, anteriormente con sede en Santa Clara, California, EE.UU.

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Oblea (electrónica)

En microelectrónica, una oblea o lámina es una placa fina de un material semiconductor, por ejemplo el silicio, con la que construyen microcircuitos mediante técnicas de dopado (por ejemplo, difusión o implantación de iones), grabado químico y deposición de varios materiales.

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Proceso de 10 µm

El proceso de 10 µm se refiere a una tecnología de proceso de semiconductores producidos en los años 1971 y 1972 por las principales empresas de semiconductores como Intel.

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Signetics

Signetics, era una de las mayores empresas del mundo dedicada a la creación de semiconductores.

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Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.

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I1103.

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