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Implantación de iones

Índice Implantación de iones

La implantación de iones es un proceso propio de la ingeniería de materiales por el cual los iones de un material pueden ser implantados en otro sólido, cambiando por tanto las propiedades físicas de este último.

27 relaciones: Antimonio, Arsano, Arsénico, Boro, Canal iónico, Carcinógeno, Ciencia de materiales, Corrosión, Electronvoltio, Epitaxia, Estructura cristalina, Fabricación de circuitos integrados, Fósforo, Fosfano, Ingeniería de materiales, Ion, Oblea (electrónica), Parámetro de red, Pulverización catódica, Punto de inflamabilidad, Radioisótopo, Recocido, Sólido amorfo, Silicio, Silicio sobre aislante, Toxicidad, Vidrio.

Antimonio

El antimonio es un elemento químico de número atómico 51 situado en el grupo 15 de la tabla periódica de los elementos.

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Arsano

El arsano, arsina o hidruro de arsénico (AsH3) es un compuesto inorgánico gaseoso a temperatura ambiente, es inflamable y altamente tóxico, constituido de hidrógeno y arsénico.

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Arsénico

El arsénico es un elemento químico de la tabla periódica que pertenece al grupo de los metaloides, también llamados semimetales, se puede encontrar de diversas formas, aunque raramente se encuentra en estado sólido.

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Boro

El boro es un elemento químico de la tabla periódica de los elementos que tiene el símbolo B y número atómico 5, su masa es de 10,811.

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Canal iónico

Los canales iónicos son un tipo de proteína transmembrana que permite el paso de iones específicos o agua a través de la membrana celular.

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Carcinógeno

Un carcinógeno o cancerígeno es un agente físico, químico o biológico potencialmente capaz de producir cáncer al exponerse a tejidos vivos.

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Ciencia de materiales

La ciencia de materiales es el campo científico encargado de investigar la relación entre la estructura y las propiedades de los materiales.

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Corrosión

La corrosión se define como el deterioro de un material a consecuencia de un ataque electroquímico por su entorno.

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Electronvoltio

El electronvoltio (símbolo eV) es una unidad de energía que representa la variación de energía cinética que experimenta un electrón al moverse desde un punto de potencial Va hasta un punto de potencial Vb cuando la diferencia Vba.

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Epitaxia

La epitaxia o crecimiento epitaxial es uno de los procesos en la fabricación de circuitos integrados.

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Estructura cristalina

La estructura cristalina es la forma sólida de cómo se ordenan y empaquetan los átomos, moléculas, o iones.

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Fabricación de circuitos integrados

La fabricación de circuitos integrados es el proceso mediante el cual se crean circuitos integrados, presentes hoy día en todos los dispositivos electrónicos.

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Fósforo

El fósforo es un elemento químico de número atómico 15 y símbolo P. El nombre proviene del griego φώς ‘luz’ y φόρος ‘portador’.

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Fosfano

El fosfano (PH3) es un gas incoloro, inflamable, que explota a temperatura ambiente y que huele a ajo.

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Ingeniería de materiales

La ingeniería de materiales es una rama de la ingeniería que se fundamenta en las relaciones propiedades-estructura y diseña o proyecta la estructura de un material para conseguir un conjunto predeterminado de propiedades.

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Ion

El ion (tomado del inglés y este del griego ἰών, «que va»; hasta 2010, ión) es una partícula cargada eléctricamente constituida por un átomo o molécula que no es eléctricamente neutro.

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Oblea (electrónica)

En microelectrónica, una oblea es una fina plancha de material semiconductor, como por ejemplo cristal de silicio, sobre la que se construyen microcircuitos mediante técnicas de dopado (por ejemplo, difusión o implantación de iones), grabado químico y deposición de varios materiales.

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Parámetro de red

El parámetro de red hace referencia a la distancia constante de las celdas unitarias o "dimensión de cada celda" con respecto a su estructura cristalina, por eso en una cúbica tenemos a.

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Pulverización catódica

La pulverización catódica (o por su designación en inglés: sputtering) es un proceso físico en el que se produce la vaporización de los átomos de un material sólido denominado "blanco" mediante el bombardeo de éste por iones energéticos.

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Punto de inflamabilidad

El punto de inflamabilidad o punto de destello es el conjunto de condiciones de presión, temperatura, mezcla de gases en que una sustancia combustible|inflamable, normalmente un líquido, produce suficientes vapores que al mezclarse con el aire, se inflamarían al aplicar una fuente de calor (llamada fuente de ignición) a una temperatura suficientemente elevada.

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Radioisótopo

Se llama radioisótopo o radionúclido a aquel isótopo que es radiactivo.

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Recocido

El recocido es un tratamiento térmico cuya finalidad es el ablandamiento, la recuperación de la estructura o la eliminación de tensiones internas generalmente en metales.

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Sólido amorfo

El sólido amorfo es un estado sólido de la materia, en el que las partículas que conforman el sólido carecen de una estructura ordenada.

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Silicio

El silicio (del latín: sílex) es un elemento químico metaloide, número atómico 14 y situado en el grupo 14 de la tabla periódica de los elementos de símbolo Si.

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Silicio sobre aislante

Silicio sobre aislante (SOI, silicon on insulator) es una tecnología de fabricación microelectrónica en la que se sustituye el sustrato tradicional de fabricación de obleas de silicio monocristalino, por un sándwich de capas de semiconductor, aislante y semiconductor.

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Toxicidad

La toxicidad es la capacidad de alguna sustancia química de producir efectos perjudiciales sobre un ser vivo, al entrar en contacto con él.

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Vidrio

El vidrio es un material inorgánico duro, frágil, transparente y amorfo que se encuentra en la naturaleza, aunque también puede ser producido por el ser humano.

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Implantacion de iones, Implantacion ionica, Implantacion iónica, Implantación iónica.

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