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DRAM

Índice DRAM

La memoria dinámica de acceso aleatorio o DRAM (del inglés dynamic random-access memory) es un tipo de tecnología de memoria de acceso aleatorio (RAM) basada en condensadores, los cuales pierden su carga progresivamente, necesitando de un circuito dinámico de refresco que, cada cierto período, revisa dicha carga y la repone en un ciclo de refresco.

25 relaciones: A-RAM, Acceso aleatorio, Bit, Caché (informática), Celda de memoria, Circuito integrado, Condensador eléctrico, Culombio, Faradio, IBM, IBM S/360, Intel, Intel 1103, Memoria de núcleos magnéticos, Memoria principal, Micron Technology, Realimentación positiva, Refrescamiento de memoria, Samsung Electronics, Sólido, SK Hynix, SRAM, Texas Instruments, Transistor, Tubo Williams.

A-RAM

A-RAM (Advanced-Random Access Memory) es un tipo de memoria DRAM basada en celdas de un solo transistor.

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Acceso aleatorio

El acceso aleatorio o acceso directo se refiere a la forma de acceso a la memoria de manera aleatoria o directa, que tiene connotaciones algo distintas de acuerdo a las disciplinas de estudio.

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Bit

En informática o teoría de la información, el bit corresponde a un dígito del sistema de numeración binario y representa la unidad mínima de información.

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Caché (informática)

En informática, una caché, antememoria o memoria intermedia es un componente de hardware o software que guarda datos para que las solicitudes futuras de esos datos se puedan atender con mayor rapidez; los datos almacenados en una caché pueden ser el resultado de un cálculo anterior o el duplicado de datos almacenados en otro lugar, generalmente, da velocidad de acceso más rápido.

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Celda de memoria

La celda de memoria o posición de memoria es el elemento base fundamental en el que se basa la memoria informática.

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Circuito integrado

Un circuito integrado (CI), también conocido como chip o microchip, es una estructura de pequeñas dimensiones de material semiconductor, normalmente silicio, de algunos milímetros cuadrados de superficie (área), sobre la que se fabrican circuitos electrónicos generalmente mediante fotolitografía y que está protegida dentro de un encapsulado plástico o de cerámica.

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Condensador eléctrico

Un condensador eléctrico (también conocido frecuentemente en Hispanoamérica con el anglicismo capacitor, pero adaptado a la fonética del español) es un dispositivo pasivo, utilizado en electricidad y electrónica.

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Culombio

El culombio o coulomb (símbolo: C) es la unidad derivada del sistema internacional para la medida de la magnitud física de cantidad de electricidad (carga eléctrica).

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Faradio

Se denomina faradio o farad (símbolo: F) a la unidad de capacidad eléctrica del Sistema Internacional de Unidades (SI).

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IBM

International Business Machines Corporation (IBM) es una empresa tecnológica multinacional estadounidense con sede en Armonk, Nueva York.

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IBM S/360

El IBM S/360 (S/360) fue un sistema de computación de la familia mainframe, que IBM anunció el 7 de abril de 1964.

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Intel

Intel Corporation es el mayor fabricante de circuitos integrados del mundo según su cifra de negocio anual.

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Intel 1103

El Intel 1103 es el primer chip de memoria dinámica de acceso aleatorio conocido, y esta ampliamente reconocido como el chip que reemplazó a la memoria de núcleos magnéticos.

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Memoria de núcleos magnéticos

La memoria de núcleos magnéticos, memoria de ferrita o memoria de toros, fue una forma de memoria principal de los computadores, hasta comienzos de 1970.

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Memoria principal

Memoria primaria (MP), memoria principal, memoria central o memoria interna es la memoria de la computadora donde se almacenan temporalmente tanto los datos como los programas que la unidad central de procesamiento (CPU) está procesando o va a procesar en un determinado momento.

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Micron Technology

Micron Technology (Micron) es una empresa multinacional con sede en Boise, Idaho, Estados Unidos, que produce muchas formas de semiconductores.

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Realimentación positiva

La retroalimentación positiva es un mecanismo poco frecuente cuyo efecto es estimular o incrementar la secreción hormonal por parte de la célula.Es posible identificar la realimentación positiva en sistemas de la naturaleza como el clima, la biosfera,sistemas creados por la humanidad como la economía, la sociedad y los circuitos electrónicos.

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Refrescamiento de memoria

El refrescamiento de memoria es el proceso de la lectura periódica de información de un área de la memoria de computadora, e inmediatamente reescribir la información leída en la misma área sin modificaciones.

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Samsung Electronics

Samsung Electronics (SEC, en coreano: 삼성전자) es una multinacional electrónica y de tecnologías de punta de la información con sede en Samsung Town, Seúl, Corea del Sur.

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Sólido

El sólido (del latín solĭdus) es un estado de agregación de la materia, que se caracteriza porque opone resistencia a cambios de forma y de volumen.

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SK Hynix

SK Hynix Inc. es un proveedor de memorias de acceso aleatorio dinámico de semiconductores y circuitos de memoria flash de Corea del Sur.

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SRAM

SRAM son las siglas de la voz inglesa Static Random Access Memory, que significa memoria estática de acceso aleatorio (o RAM estática), para denominar a un tipo de tecnología de memoria RAM basada en semiconductores, capaz de mantener los datos, mientras siga alimentada, sin necesidad de circuito de refresco.

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Texas Instruments

Texas Instruments, más conocida en la industria electrónica como TI, es una empresa tecnológica estadounidense con sede en Dallas, Texas, que desarrolla y comercializa semiconductores y tecnología para ordenadores.

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Transistor

El transistor es un dispositivo electrónico utilizado para amplificar o cambiar señales y potencias eléctricas.

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Tubo Williams

El tubo Williams o tubo Williams-Kilburn (inventado por Freddie Williams y Tom Kilburn), desarrollado alrededor de 1946 o 1947, era un tubo de rayos catódicos usado para almacenar electrónicamente datos binarios.

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Redirecciona aquí:

Dynamic Random Access Memory, Memoria de acceso aleatorio dinamico, Memoria de acceso aleatorio dinámico, Memoria dinamica de acceso aleatorio, Memoria dinámica de acceso aleatorio, RAM dinamica, RAM dinámica.

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