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20 relaciones: Acceso aleatorio, Biestable, Bit, Celda de memoria, Circuito integrado, CPLD, DRAM, Emitter-coupled logic, Matriz de puerta programable en campo, Memoria de acceso aleatorio, Memoria gráfica de acceso aleatorio, Memoria no volátil de acceso aleatorio, Periférico (informática), SDRAM, Semiconductor complementario de óxido metálico, Tecnología TTL, Transistor, Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor, Transistor de unión bipolar, Vatio.
Acceso aleatorio
El acceso aleatorio o acceso directo se refiere a la forma de acceso a la memoria de manera aleatoria o directa, que tiene connotaciones algo distintas de acuerdo a las disciplinas de estudio.
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Biestable
En electrónica, biestable, flip-flop o latch, es un circuito multivibrador, que tiene cuatro estados estables y puede almacenar energía.
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Bit
En informática o teoría de la información, el bit corresponde a un dígito del sistema de numeración binario y representa la unidad mínima de información.
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Celda de memoria
La celda de memoria o posición de memoria es el elemento base fundamental en el que se basa la memoria informática.
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Circuito integrado
Un circuito integrado (CI), también conocido como chip o microchip, es una estructura de pequeñas dimensiones de material semiconductor, normalmente silicio, de algunos milímetros cuadrados de superficie (área), sobre la que se fabrican circuitos electrónicos generalmente mediante fotolitografía y que está protegida dentro de un encapsulado plástico o de cerámica.
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CPLD
Un CPLD (del acrónimo inglés Complex Programmable Logic Device) es un dispositivo electrónico.
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DRAM
La memoria dinámica de acceso aleatorio o DRAM (del inglés dynamic random-access memory) es un tipo de tecnología de memoria de acceso aleatorio (RAM) basada en condensadores, los cuales pierden su carga progresivamente, necesitando de un circuito dinámico de refresco que, cada cierto período, revisa dicha carga y la repone en un ciclo de refresco.
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Emitter-coupled logic
Emitter Coupled Logic (lógica de emisores acoplados) pertenece a la familia de circuitos MSI implementada con tecnología bipolar; es la más rápida disponible dentro de los circuitos de tipo MSI.
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Matriz de puerta programable en campo
Una matriz de puertas lógicas programable en campo o FPGA (del inglés field-programmable gate array), es un dispositivo programable que contiene bloques de lógica cuya interconexión y funcionalidad puede ser configurada en el momento, mediante un lenguaje de descripción especializado.
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Memoria de acceso aleatorio
La memoria de acceso aleatorio (Random Access Memory, RAM) es una memoria de almacenaje a corto plazo.
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Memoria gráfica de acceso aleatorio
Memoria gráfica de acceso aleatorio (Video Random Access Memory) es un tipo de memoria RAM que utiliza el controlador gráfico para poder manejar toda la información visual que le envía la CPU del sistema.
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Memoria no volátil de acceso aleatorio
La memoria no volátil de acceso aleatorio, referida a veces por sus siglas en inglés NVRAM (Non-volatile random access memory) es un tipo de memoria de acceso aleatorio que, como su nombre indica, no pierde la información almacenada al interrumpirse la alimentación eléctrica.
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Periférico (informática)
En informática, periférico es la denominación genérica para designar al aparato o dispositivo auxiliar e independiente conectado a la placa base de una computadora.
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SDRAM
SDRAM (siglas en inglés de synchronous dynamic random-access memory, ‘memoria de acceso aleatorio síncrona y dinámica’) es una familia de memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) que tienen una interfaz síncrona, usadas ya desde principios de 1970.
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Semiconductor complementario de óxido metálico
El semiconductor complementario de óxido metálico o complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) es una de las familias lógicas empleadas en la fabricación de circuitos integrados.
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Tecnología TTL
TTL es la sigla en inglés de transistor-transistor logic, es decir, «lógica transistor a transistor».
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Transistor
El transistor es un dispositivo electrónico utilizado para amplificar o cambiar señales y potencias eléctricas.
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Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.
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Transistor de unión bipolar
El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales.
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Vatio
El vatio o watt (símbolo: W) es la unidad derivada coherente del Sistema Internacional de Unidades (SI) para la potencia.
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Memoria Estatica de Acceso Aleatorio, Memoria Estática de Acceso Aleatorio, Memoria estática de acceso aleatorio, RAM estatica, RAM estática, Static Random Access Memory.
