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RIMM

Índice RIMM

RIMM, acrónimo de Rambus In-line Memory Module (Módulo de Memoria en Línea Rambus), designa a los módulos de memoria RAM que utilizan una tecnología denominada RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los años 1990 con el fin de introducir un módulo de memoria con niveles de rendimiento muy superiores a los módulos de memoria SDRAM de 100 y 133 MHz disponibles en aquellos años.

9 relaciones: Años 1990, DDR SDRAM, Intel, Megahercio, Memoria de acceso aleatorio, Pentium 4, RDRAM, Samsung, SDRAM.

Años 1990

El decenio de los años 90 del o, popularmente conocido como los 90 o decenio de 1990, comprenden el periodo de tiempo que se dio entre el 1 de enero de 1990 al 31 de diciembre de 1999.

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DDR SDRAM

DDR SDRAM (de las siglas en inglés Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory) es un tipo de memoria RAM, de la familia de las SDRAM usadas ya desde principios de 1990.

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Intel

Intel Corporation es el mayor fabricante de circuitos integrados del mundo según su cifra de negocio anual.

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Megahercio

Un megahercio (MHz) es una unidad de medida de la frecuencia, equivale a 106 hercios (1 millón).

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Memoria de acceso aleatorio

La memoria de acceso aleatorio (Random Access Memory, RAM) es una memoria de almacenaje a corto plazo.

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Pentium 4

El Pentium 4 fue una línea de microprocesadores de séptima generación basado en la arquitectura x86 y fabricado por Intel.

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RDRAM

La RDRAM es un tipo de memoria síncrona, conocida como Rambus DRAM.

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Samsung

Samsung (estilizado como SΛMSUNG) es un conglomerado de empresas multinacionales con sede en Suwon, Corea del Sur.

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SDRAM

SDRAM (siglas en inglés de synchronous dynamic random-access memory, ‘memoria de acceso aleatorio síncrona y dinámica’) es una familia de memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) que tienen una interfaz síncrona, usadas ya desde principios de 1970.

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Redirecciona aquí:

RAMBUS, Rambus.

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