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28 relaciones: Biosensor, Campo eléctrico, Canadá, Conductividad eléctrica, Diodo Schottky, Dopaje (semiconductores), JFET, John Bardeen, Julius Edgar Lilienfeld, Mesa de mezclas de audio, Motor de combustión interna, Radiación, Ruido (comunicación), Semiconductor, Semiconductor complementario de óxido metálico, Silicio, Silicio policristalino, Tarjeta gráfica, Thin-film transistor, Transistor, Transistor de ADN de efecto de campo, Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor, Transistor de unión bipolar, Transistor IGBT, Transistores HEMT, Unión PN, Walter Houser Brattain, Westinghouse Electric.
Biosensor
Un biosensor es un instrumento para la medición de parámetros biológicos o químicos.
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Campo eléctrico
Para una correcta comprensión de este artículo o partes del mismo es recomendable poseer algunos conocimientos previos del análisis vectorial como: campo vectorial, campo escalar y potencial.--> El campo eléctrico (región del espacio en la que interactúa la fuerza eléctrica) es un campo físico que se representa por medio de un modelo que describe la interacción entre cuerpos y sistemas con propiedades de naturaleza eléctrica.
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Canadá
Canadá (Canada,; Canada, o) es un país soberano ubicado en América del Norte, cuya forma de gobierno es la monarquía parlamentaria federal.
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Conductividad eléctrica
La conductividad eléctrica (símbolo σ) es la medida de la capacidad de un material o sustancia para dejar pasar la corriente eléctrica a través de él.
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Diodo Schottky
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado así en honor del físico alemán Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeños de 5 mm de diámetro) y muy bajas tensiones umbral (también conocidas como tensiones de codo, aunque en inglés se refieren a ella como "knee", es decir, rodilla).
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Dopaje (semiconductores)
En la producción de semiconductores, se le denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor (abreviadamente, SC) extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas.
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JFET
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo de juntura o unión) es un tipo de dispositivo electrónico de tres terminales que puede ser usado como interruptor electrónicamente controlado, amplificador o resistencia controlada por voltaje.
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John Bardeen
John Bardeen (Madison, 23 de mayo de 1908-Boston, 30 de enero de 1991) fue un ingeniero eléctrico y físico estadounidense galardonado con los Premios Nobel de Física de los años 1956 y 1972, convirtiéndose junto a Marie Curie, Linus Pauling, Frederick Sanger y Barry Sharpless en las únicas personas galardonadas dos veces con el Premio Nobel.
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Julius Edgar Lilienfeld
Julius Edgar Lilienfeld (Lemberg, 18 de abril de 1882 - Carlota Amalia, Islas Vírgenes de los Estados Unidos, 28 de agosto de 1963) fue un físico de origen austrohúngaro, inventor del tipo de transistores llamados actualmente Transistor de efecto de campo.
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Mesa de mezclas de audio
Las mesas de mezcla de audio o mezcladora de sonidos es un dispositivo electrónico al cual se conectan diversos elementos emisores de audio, tales como micrófonos, entradas de línea, samplers, sintetizadores, gira discos de vinilos, reproductores de CD, reproductores de cintas, etc.
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Motor de combustión interna
Un motor de combustión interna o motor de explosión es un tipo de máquina que obtiene energía mecánica directamente de la energía química de un combustible que arde dentro de la cámara de combustión.
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Radiación
El fenómeno de la radiación es la propagación de energía en forma de ondas electromagnéticas o partículas subatómicas a través del vacío o de un medio material.
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Ruido (comunicación)
En comunicación, se denomina ruido a toda señal no deseada que se mezcla con la señal útil que se quiere transmitir.
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Semiconductor
Un semiconductor es un elemento que se comporta o bien como un conductor o bien como un aislante dependiendo de diversos factores, por ejemplo: el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.
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Semiconductor complementario de óxido metálico
El semiconductor complementario de óxido metálico o complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) es una de las familias lógicas empleadas en la fabricación de circuitos integrados.
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Silicio
El silicio (del latín: sílex) es un elemento químico metaloide, número atómico 14 y situado en el grupo 14 de la tabla periódica de los elementos de símbolo Si.
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Silicio policristalino
Silicio policristalino, también llamado polisilicio, es un material que consiste en pequeños cristales de silicio.
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Tarjeta gráfica
Una tarjeta gráfica o tarjeta de video es una tarjeta de expansión de la placa base de la computadora que se encarga de procesar los datos provenientes del procesador y transformarlos en información comprensible y representable en el dispositivo de salida (por ejemplo: monitor, televisor o proyector).
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Thin-film transistor
Thin-film transistor (TFT) o transistor de películas finas es un tipo especial de transistor de efecto campo que se fabrica depositando finas películas de un semiconductor activo así como una capa de material dieléctrico y contactos metálicos sobre un sustrato de soporte.
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Transistor
El transistor es un dispositivo electrónico utilizado para amplificar o cambiar señales y potencias eléctricas.
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Transistor de ADN de efecto de campo
Un transistor de ADN de efecto de campo (o DNAFET, de DNA field-effect transistor) es un transistor de efecto de campo (FET) que utiliza el efecto de campo generado por las cargas parciales de las moléculas de ADN para actuar como un biosensor.
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Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.
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Transistor de unión bipolar
El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales.
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Transistor IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia.
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Transistores HEMT
Los HEMT, acrónimo del inglés High electron mobility transistor (Transistor de alta movilidad de electrones), también conocidos como HFET, acrónimo de Heterostructure FET (FET de Heteroestructura, que a su vez es el acrónimo de Field Effect Trasistor, transistor de efecto de campo) o también MODFET, Modulation-doped FET (Transistor FET de dopado modulado) son un tipo de transistor de efecto de campo que incorporan una unión entre dos materiales con diferentes bandas prohibidas, una heterounión, como canal de conducción en vez de una región dopada como es generalmente el caso de los MOSFET.
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Unión PN
Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los componentes electrónicos comúnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores.
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Walter Houser Brattain
Walter Houser Brattain (Amoy, China, 10 de febrero de 1902 - 13 de octubre de 1987) fue uno de los físicos que inventó el transistor.
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Westinghouse Electric
Westinghouse Electric Company LLC anteriormente conocida como Westinghouse Electric Corporation, es una empresa fundada en 1884 con sede en Cranberry Township, Pensilvania, con operaciones en América, Europa, Asia, Medio Oriente y África.
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Puerta (transistor), Transistor de efecto de campo.
