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Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor y Unidad central

Accesos rápidos: Diferencias, Similitudes, Coeficiente de Similitud Jaccard, Referencias.

Diferencia entre Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor y Unidad central

Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor vs. Unidad central

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Una unidad central (en inglés mainframe) es una computadora utilizada principalmente por grandes organizaciones para aplicaciones críticas, procesamiento de datos masivos (como censos y estadísticas de la industria y del consumidor, planificación de recursos empresariales y transacciones a gran escala de procesamiento).

Similitudes entre Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor y Unidad central

Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor y Unidad central tienen 0 cosas en común (en Unionpedia).

La lista de arriba responde a las siguientes preguntas

Comparación de Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor y Unidad central

Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor tiene 36 relaciones, mientras Unidad central tiene 39. Como tienen en común 0, el índice Jaccard es 0.00% = 0 / (36 + 39).

Referencias

En este artículo se encuentra la relación entre Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor y Unidad central. Si desea acceder a cada artículo del que se extrajo la información visite:

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