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Deposición de vapor mediante procesos químicos organometálicos y Panel fotovoltaico

Accesos rápidos: Diferencias, Similitudes, Coeficiente de Similitud Jaccard, Referencias.

Diferencia entre Deposición de vapor mediante procesos químicos organometálicos y Panel fotovoltaico

Deposición de vapor mediante procesos químicos organometálicos vs. Panel fotovoltaico

La epitaxia metalorgánica en fase de vapor (del inglés, Metalorganic vapour phase epitaxy- MOVPE) es un método de deposición química vaporosa con el que se produce un crecimiento epitaxial de ciertos materiales, en concreto de los compuestos semiconductores originados a raíz de una reacción en la superficie de compuestos orgánicos y metalorgánicos, y también de hidruros de metal que poseen una serie de elementos químicos concretos. Los paneles o módulos fotovoltaicos (placas fotovoltaicas) —llamados comúnmente paneles solares, o placas solares, aunque estas denominaciones abarcan además otros dispositivos— están formados por un conjunto de células fotovoltaicas que producen electricidad a partir de la luz que incide sobre ellos mediante el efecto fotoeléctrico.

Similitudes entre Deposición de vapor mediante procesos químicos organometálicos y Panel fotovoltaico

Deposición de vapor mediante procesos químicos organometálicos y Panel fotovoltaico tienen 9 cosas en común (en Unionpedia): Arsénico, Arseniuro de galio, Célula fotoeléctrica, Galio, Germanio, Indio (elemento), Selenio, Semiconductor, Silicio.

Arsénico

El arsénico es un elemento químico de la tabla periódica que pertenece al grupo de los metaloides, también llamados semimetales; se puede encontrar de diversas formas aunque, raramente, se encuentra en estado sólido.

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Arseniuro de galio

El arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de galio y arsénico.

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Célula fotoeléctrica

Una célula fotoeléctrica, también llamada celda solar, célula solar, fotocélula o célula fotovoltaica, es un dispositivo electrónico que permite transformar la energía lumínica (fotones) en energía eléctrica (flujo de electrones libres) mediante el efecto fotoeléctrico, generando energía solar fotovoltaica.

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Galio

El galio es un elemento químico de la tabla periódica de número atómico 31 y símbolo Ga.

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Germanio

El germanio (latín: Germanium) es un elemento químico con número atómico 32, y símbolo Ge perteneciente al período 4 de la tabla periódica de los elementos.

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Indio (elemento)

El indio es un elemento químico de número atómico 49 situado en el grupo 13 y el período 5 de la tabla periódica de los elementos.

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Selenio

El selenio es un elemento químico de la tabla periódica cuyo símbolo es Se y su número atómico 34.

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Semiconductor

Un semiconductor es un elemento que se comporta o bien como un conductor o bien como un aislante dependiendo de diversos factores, por ejemplo: el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.

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Silicio

El silicio (del latín: sílex) es un elemento químico metaloide, número atómico 14 y situado en el grupo 14 de la tabla periódica de los elementos de símbolo Si.

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La lista de arriba responde a las siguientes preguntas

Comparación de Deposición de vapor mediante procesos químicos organometálicos y Panel fotovoltaico

Deposición de vapor mediante procesos químicos organometálicos tiene 50 relaciones, mientras Panel fotovoltaico tiene 130. Como tienen en común 9, el índice Jaccard es 5.00% = 9 / (50 + 130).

Referencias

En este artículo se encuentra la relación entre Deposición de vapor mediante procesos químicos organometálicos y Panel fotovoltaico. Si desea acceder a cada artículo del que se extrajo la información visite:

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