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Fabricación de circuitos integrados y Semiconductor complementario de óxido metálico

Accesos rápidos: Diferencias, Similitudes, Coeficiente de Similitud Jaccard, Referencias.

Diferencia entre Fabricación de circuitos integrados y Semiconductor complementario de óxido metálico

Fabricación de circuitos integrados vs. Semiconductor complementario de óxido metálico

La fabricación de circuitos integrados es el proceso mediante el cual se crean circuitos integrados, presentes hoy día en todos los dispositivos electrónicos. El semiconductor complementario de óxido metálico o complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) es una de las familias lógicas empleadas en la fabricación de circuitos integrados.

Similitudes entre Fabricación de circuitos integrados y Semiconductor complementario de óxido metálico

Fabricación de circuitos integrados y Semiconductor complementario de óxido metálico tienen 3 cosas en común (en Unionpedia): Circuito integrado, Transistor, Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor.

Circuito integrado

Un circuito integrado (CI), también conocido como chip o microchip, es una estructura de pequeñas dimensiones de material semiconductor, normalmente silicio, de algunos milímetros cuadrados de superficie (área), sobre la que se fabrican circuitos electrónicos generalmente mediante fotolitografía y que está protegida dentro de un encapsulado plástico o de cerámica.

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Transistor

El transistor es un dispositivo electrónico utilizado para amplificar o cambiar señales y potencias eléctricas.

Fabricación de circuitos integrados y Transistor · Semiconductor complementario de óxido metálico y Transistor · Ver más »

Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Fabricación de circuitos integrados y Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor · Semiconductor complementario de óxido metálico y Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor · Ver más »

La lista de arriba responde a las siguientes preguntas

Comparación de Fabricación de circuitos integrados y Semiconductor complementario de óxido metálico

Fabricación de circuitos integrados tiene 28 relaciones, mientras Semiconductor complementario de óxido metálico tiene 29. Como tienen en común 3, el índice Jaccard es 5.26% = 3 / (28 + 29).

Referencias

En este artículo se encuentra la relación entre Fabricación de circuitos integrados y Semiconductor complementario de óxido metálico. Si desea acceder a cada artículo del que se extrajo la información visite:

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