¡Más rápido que el navegador!Similitudes entre Fabricación de circuitos integrados y Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
Fabricación de circuitos integrados y Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor tienen 7 cosas en común (en Unionpedia): Circuito integrado, Fotolitografía, JFET, Sala blanca, Semiconductor, Silicio, Transistor.
Circuito integrado
Un circuito integrado (CI), también conocido como chip o microchip, es una estructura de pequeñas dimensiones de material semiconductor, normalmente silicio, de algunos milímetros cuadrados de superficie (área), sobre la que se fabrican circuitos electrónicos generalmente mediante fotolitografía y que está protegida dentro de un encapsulado plástico o de cerámica.
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Fotolitografía
La fotolitografía es un proceso empleado en la fabricación de dispositivos semiconductores o circuitos integrados.
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JFET
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo de juntura o unión) es un tipo de dispositivo electrónico de tres terminales que puede ser usado como interruptor electrónicamente controlado, amplificador o resistencia controlada por voltaje.
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Sala blanca
Una sala blanca (también, cuarto limpio o sala limpia; en inglés, clean room) es una sala especialmente diseñada para obtener bajos niveles de contaminación.
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Semiconductor
Un semiconductor es un elemento que se comporta o bien como un conductor o bien como un aislante dependiendo de diversos factores, por ejemplo: el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.
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Silicio
El silicio (del latín: sílex) es un elemento químico metaloide, número atómico 14 y situado en el grupo 14 de la tabla periódica de los elementos de símbolo Si.
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Transistor
El transistor es un dispositivo electrónico utilizado para amplificar o cambiar señales y potencias eléctricas.
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La lista de arriba responde a las siguientes preguntas
- En qué se parecen Fabricación de circuitos integrados y Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
- Qué tienen en común Fabricación de circuitos integrados y Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
- Semejanzas entre Fabricación de circuitos integrados y Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
Comparación de Fabricación de circuitos integrados y Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
Fabricación de circuitos integrados tiene 28 relaciones, mientras Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor tiene 36. Como tienen en común 7, el índice Jaccard es 10.94% = 7 / (28 + 36).
Referencias
En este artículo se encuentra la relación entre Fabricación de circuitos integrados y Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor. Si desea acceder a cada artículo del que se extrajo la información visite:
