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Implantación de iones y Parámetro de red

Accesos rápidos: Diferencias, Similitudes, Coeficiente de Similitud Jaccard, Referencias.

Diferencia entre Implantación de iones y Parámetro de red

Implantación de iones vs. Parámetro de red

La implantación de iones es un proceso propio de la ingeniería de materiales por el cual los iones de un material pueden ser implantados en otro sólido, cambiando por tanto las propiedades físicas de este último. Un parámetro de red es una distancia o un ángulo que define geométricamente a la celda unitaria con respecto a su estructura cristalina.

Similitudes entre Implantación de iones y Parámetro de red

Implantación de iones y Parámetro de red tienen 2 cosas en común (en Unionpedia): Epitaxia, Estructura cristalina.

Epitaxia

La epitaxia o crecimiento epitaxial es uno de los procesos en la fabricación de circuitos integrados.

Epitaxia e Implantación de iones · Epitaxia y Parámetro de red · Ver más »

Estructura cristalina

La estructura cristalina es la forma sólida de cómo se ordenan y empaquetan los átomos, moléculas, o iones.

Estructura cristalina e Implantación de iones · Estructura cristalina y Parámetro de red · Ver más »

La lista de arriba responde a las siguientes preguntas

Comparación de Implantación de iones y Parámetro de red

Implantación de iones tiene 28 relaciones, mientras Parámetro de red tiene 11. Como tienen en común 2, el índice Jaccard es 5.13% = 2 / (28 + 11).

Referencias

En este artículo se encuentra la relación entre Implantación de iones y Parámetro de red. Si desea acceder a cada artículo del que se extrajo la información visite:

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