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Permitividad y Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor

Accesos rápidos: Diferencias, Similitudes, Coeficiente de Similitud Jaccard, Referencias.

Diferencia entre Permitividad y Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor

Permitividad vs. Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor

La permitividad eléctrica (llamada también constante dieléctrica para dieléctricos homogéneos) es un parámetro físico de los materiales que describe cuánto son afectados por un campo eléctrico. El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.

Similitudes entre Permitividad y Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor

Permitividad y Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor tienen 2 cosas en común (en Unionpedia): Condensador eléctrico, Dieléctrico.

Condensador eléctrico

Un condensador eléctrico (también conocido frecuentemente en Hispanoamérica con el anglicismo capacitor, pero adaptado a la fonética del español) es un dispositivo pasivo, utilizado en electricidad y electrónica.

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Dieléctrico

En electromagnetismo, un material dieléctrico, medio dieléctrico o simplemente dieléctrico es un aislante eléctrico —material con una baja conductividad eléctrica (σ. Escrito por Wenceslao González Viñas, Héctor L. Mancini. Página 85. Algunos ejemplos de este tipo de materiales son el vidrio, la cerámica, la goma, el petróleo, la mica, la cera, el papel, la madera seca, la porcelana, algunas grasas para uso industrial y electrónico y la baquelita. En cuanto a los gases se utilizan como dieléctricos sobre todo el aire, el nitrógeno y el hexafluoruro de azufre. El vocablo «dieléctrico» (del griego δια- dia-, que significa ‘a través de’) fue concebido por William Whewell en respuesta a una petición de Michael Faraday.

Dieléctrico y Permitividad · Dieléctrico y Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor · Ver más »

La lista de arriba responde a las siguientes preguntas

Comparación de Permitividad y Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor

Permitividad tiene 53 relaciones, mientras Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor tiene 36. Como tienen en común 2, el índice Jaccard es 2.25% = 2 / (53 + 36).

Referencias

En este artículo se encuentra la relación entre Permitividad y Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor. Si desea acceder a cada artículo del que se extrajo la información visite:

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