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Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor

Índice Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.

93 relaciones: Acelerador de IA, Amplificador Clase D, Amplificador de audio, Amplificador electrónico, Analogía hidráulica, Aplicaciones potenciales de los nanotubos de carbono, Área de operación segura, Óxido de hafnio (IV), Bootstrapping (electrónica), Capacidad de compuerta, Celda de memoria, Circuito nanofluídico, Circuitos de ayuda a la conmutación de diodos y tiristores, Circuitos de ayuda a la conmutación de transistores, Componente electrónico, Cray-1, Cray-2, David A. Hodges, Dawon Kahng, Deblina Sarkar, Densidad de estados, Deposición de capas atómicas, Designador de referencia, Dieléctrico de puerta, Dieléctricos de alta k, Diodo, Dispositivos sensibles a cargas electrostáticas, Efecto Early, Efecto Hall cuántico, Enclavamiento (electrónica), Estructura MOS, Fabricación de circuitos integrados, Fallas de componentes electrónicos, FinFET, Floppotrón, Fotolitografía, Fuga (electrónica), Fuga térmica, Germanio-antimonio-telurio, HP Labs, Industria electrónica, Informática, Ingeniería electrónica, Intel 1103, Interruptor, Inversor (electrónica), Inversor trifásico, ISFET, Martin M. Atalla, Memoria flash, ..., Memoria reprogramable, Metalurgia, Micral, Modelo EKV, Modulación por ancho de pulsos, Nanocables de silicio, National Semiconductor SC/MP, Oscilador Seiler, Pantalla plana, Partículas idénticas, PRAM, Puerta AND, Puerta autoalineada, Puerta metálica, Puerta NOR, Quite Universal Circuit Simulator, Rectificador, Relé de estado sólido, Revolución de la información, Robert H. Dennard, Símbolo electrónico, Semiconductor, Semiconductor complementario de óxido metálico, Silicio policristalino, Silicio tensado, SRAM, Tecnología CAD, Transconductancia, Transistor, Transistor de ADN de efecto de campo, Transistor de efecto campo, Transistor de efecto de campo de transición Mott, Transistor de electrón único, Transistor IGBT, Transistores HEMT, Universidad de El Cairo, Vehículo eléctrico, Vishay Intertechnology, Voltaje del núcleo de la CPU, Western Design Center, Zen 2, Zen 3, 1959. Expandir índice (43 más) »

Acelerador de IA

Un acelerador de IA es una clase de acelerador por hardware o sistema informático diseñado para acelerar aplicaciones de inteligencia artificial, especialmente redes neuronales artificiales, visión artificial y aprendizaje automático.

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Amplificador Clase D

Un amplificador de conmutación o amplificador clase D es un amplificador electrónico el cual, en contraste con los amplificadores clase AB cuyos transistores de potencia operan en modo lineal (región activa), usa el modo conmutado de los transistores (corte y saturación) para regular la entrega de potencia.

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Amplificador de audio

Un amplificador de audio, etapa de potencia, amplificador de potencia o etapa de ganancia son los nombres que se usan para denominar a un amplificador de sonido.

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Amplificador electrónico

Amplificador electrónico puede significar tanto un tipo de circuito electrónico o etapa de este cuya función es incrementar la intensidad de corriente, la tensión o la potencia de la señal que se le aplica a su entrada; obteniéndose la señal aumentada a la salida.

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Analogía hidráulica

La analogía eléctrico hidráulica (conocida despectivamente como la teoría de los desagües por el físico británico Oliver Joseph Lodge (1851-1940)) es un procedimiento utilizado para simular mediante dispositivos hidráulicos el comportamiento de la corriente en un circuito eléctrico.

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Aplicaciones potenciales de los nanotubos de carbono

Los nanotubos de carbono (CNT por sus siglas en inglés) son cilindros de una o varias capas de grafeno (red).

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Área de operación segura

Para los dispositivos semiconductores de potencia (como BJT, MOSFET, tiristor o Transistor IGBT), el área de operación segura (en inglés, Safe Operating Area, SOA), se define como las condiciones de tensión y corriente sobre las cuales se puede esperar que el dispositivo funcione sin auto-daño.

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Óxido de hafnio (IV)

El óxido de hafnio (IV) es el compuesto inorgánico de fórmula.

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Bootstrapping (electrónica)

En el campo de la electrónica, un circuito bootstrap es aquel en el que parte de la salida de una etapa del amplificador se aplica a la entrada, para alterar la impedancia de entrada del amplificador.

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Capacidad de compuerta

La capacidad de compuerta o capacidad de puerta es la capacidad del terminal de la compuerta de un transistor de efecto de campo.

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Celda de memoria

La celda de memoria o posición de memoria es el elemento base fundamental en el que se basa la memoria informática.

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Circuito nanofluídico

Los circuitos nanofluídicos son dispositivos nanotecnológicos para controlar el flujo de líquidos.

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Circuitos de ayuda a la conmutación de diodos y tiristores

Los circuitos de ayuda a la conmutación, también conocidos como Snubber, tienen la función de absorber la energía procedente de los elementos reactivos del circuito durante el proceso de conmutación controlando parámetros tales como la evolución de la tensión o corriente en el interruptor, o bien limitando los valores máximos de tensión que ha de soportar.

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Circuitos de ayuda a la conmutación de transistores

Los supresores o circuitos de ayuda a la conmutación en transistores también conocidos por su nombre inglés, snubber, son una parte esencial en muchos de los circuitos electrónicos de potencia.

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Componente electrónico

Un componente electrónico es un dispositivo que forma parte de un circuito electrónico.

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Cray-1

El Cray-1 fue un superordenador diseñado por un importante número de informáticos encabezados por Seymour Cray para Cray Research.

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Cray-2

La Cray-2 es una supercomputadora vectorial construida por Cray Research, Inc. (CRI), en 1985.

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David A. Hodges

David Albert Hodges (1937-2022) fue un ingeniero eléctrico estadounidense, pionero de la telefonía digital y profesor de ingeniería eléctrica en la Universidad de California, Berkeley.

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Dawon Kahng

Dawon Kahng (Seúl; 4 de mayo de 1931 - Nuevo Brunswick, Nueva Jersey; 13 de mayo de 1992) fue un ingeniero eléctrico e inventor coreano-estadounidense, conocido por su trabajo en electrónica de estado sólido.

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Deblina Sarkar

Deblina Sarkar es una científica e inventora india.

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Densidad de estados

La densidad de estados (DOS) en un sistema físico caracteriza el número existente de estados por cada intervalo de energía.

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Deposición de capas atómicas

La deposición de capas atómicas (ALD por sus siglas en inglés) es una técnica de deposición de películas finas basada en el uso secuencial de un proceso químico en fase gaseosa; es una subclase de la deposición química en fase vapor.

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Designador de referencia

Un Designador de referencia identifica inequívocamente un componente en un diagrama  eléctrico o en un circuito impreso.  El indicador de referencia consta normalmente de una o dos letras seguidas de un número, p. ej.

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Dieléctrico de puerta

El óxido de puerta es la capa dieléctrica que separa el terminal de puerta de un MOSFET (transistor semiconductor de óxido metálico de efecto de campo) de los terminales de fuente y drenaje subyacentes, así como el canal conductor que conecta la fuente y el drenaje cuando el transistor está encendido.

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Dieléctricos de alta k

En la industria de los semiconductores, el término dieléctrico de alta κ hace referencia a un material con una constante dieléctrica (κ, kappa) elevada, en comparación con el dióxido de silicio.

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Diodo

Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido, bloqueando el paso si la corriente circula en sentido contrario, no solo sirve para la circulación de corriente eléctrica sino que este la controla y resiste.

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Dispositivos sensibles a cargas electrostáticas

Un dispositivo sensible a la electrostática (a menudo abreviado ESD) es cualquier componente (principalmente eléctrico) que puede dañarse por cargas estáticas comunes que se acumulan en personas, herramientas y otros no conductores o semiconductores.

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Efecto Early

El Efecto Early, nombrado así en honor a su descubrimiento por James M. Early, es la variación en el grosor de la región de deplexión (depletion regions) base-colector, en un transistor BJT debido a la variación del voltaje de base a colector.

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Efecto Hall cuántico

El efecto Hall cuántico (o el efecto Hall cuántico entero) es una versión de la mecánica cuántica del efecto Hall, observado en sistemas bidimensionales con electrones sometidos a bajas temperaturas y fuertes campos magnéticos, en la que la conductividad σ toma los valores cuantizados donde.

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Enclavamiento (electrónica)

El enclavamiento (latch-up) es un término usado en el mundo de los circuitos integrados para describir un tipo particular de cortocircuito que puede ocurrir en un circuito eléctrico mal diseñado.

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Estructura MOS

Una estructura MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) es un dispositivo electrónico formado por un sustrato de silicio dopado, sobre el cual se hace crecer una capa de óxido (SiO2).

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Fabricación de circuitos integrados

La fabricación de circuitos integrados es el proceso mediante el cual se crean circuitos integrados, presentes hoy día en todos los dispositivos electrónicos.

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Fallas de componentes electrónicos

Los componentes electrónicos tienen una amplia gama de formas en que pueden fallar.

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FinFET

Un transistor de efecto de campo de aleta (FinFET) es un dispositivo de múltiple puerta, un MOSFET (transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal) construido sobre un sustrato donde la puerta se coloca en dos, tres o cuatro lados del canal o envuelta alrededor el canal, formando una estructura de doble puerta.

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Floppotrón

El Floppotrón es un instrumento musical creado por el ingeniero polaco Paweł Zadrożniak.

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Fotolitografía

La fotolitografía es un proceso empleado en la fabricación de dispositivos semiconductores o circuitos integrados.

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Fuga (electrónica)

En electrónica, la fuga es la transferencia gradual de energía eléctrica a través de un límite normalmente considerado aislante, como la descarga espontánea de un condensador cargado, el acoplamiento magnético de un transformador con otros componentes o el flujo de corriente a través de un transistor en estado "apagado" o un diodo polarizado inversamente.

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Fuga térmica

La fuga térmica o embalamiento térmico ocurre en situaciones en las que un aumento de la temperatura cambia las condiciones de una manera que causa un aumento adicional de la temperatura, lo que a menudo conduce a un resultado destructivo.

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Germanio-antimonio-telurio

El GeSbTe (germanio-antimonio-telurio o GST) es un material de cambio de fase del grupo de los vidrios calcogenuros utilizado en discos ópticos regrabables y aplicaciones de memoria de cambio de fase.

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HP Labs

HP Labs es el grupo de investigación exploratoria y avanzada de HP Inc. La sede de HP Labs se encuentra en Palo Alto, California, y el grupo tiene instalaciones de investigación y desarrollo en Bristol, Reino Unido.

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Industria electrónica

La industria electrónica surgió en el y es una de las industrias mundiales más grandes.

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Informática

La informática, también llamada computación, es el área de la ciencia que se encarga de estudiar la administración de métodos, técnicas y procesos con el fin de almacenar, procesar y transmitir información y datos en formato digital.

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Ingeniería electrónica

La ingeniería electrónica es una rama de la ingeniería que se encarga de resolver problemas de la ingeniería tales como el control de procesos industriales y de sistemas electrónicos de potencia, instrumentación y control, así como la transformación de electricidad para el funcionamiento de diversos aparatos eléctricos.

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Intel 1103

El Intel 1103 es el primer chip de memoria dinámica de acceso aleatorio conocido, y esta ampliamente reconocido como el chip que reemplazó a la memoria de núcleos magnéticos.

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Interruptor

Un interruptor eléctrico es un dispositivo que permite desviar o interrumpir el curso de una corriente eléctrica.

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Inversor (electrónica)

Un inversor es un dispositivo que cambia o transforma una tensión de entrada de corriente continua a una tensión simétrica de salida (senoidal, cuadrada o triangular) de corriente alterna, con la magnitud y frecuencia deseada por el usuario o el diseñador.

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Inversor trifásico

Los inversores, o convertidores CC-CA, son un circuito utilizado para convertir corriente continua en corriente alterna.

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ISFET

Un ISFET (Ion Sensitive Field Effect Transistor, transistor de efecto campo sensible a iones) es un sensor electroquímico que reacciona a cambios en la actividad de un ion dado.

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Martin M. Atalla

Martin M. Atalla (árabe: محمد محمد عطلة, o también Mohammed Atalla), (4 de agosto 1924 a Puerto Said, Egipto; † 30 de diciembre 2009 a Atherton, California).

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Memoria flash

La memoria flash es un medio de almacenamiento de memoria de computadora electrónico no volátil que se puede borrar y reprogramar eléctricamente.

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Memoria reprogramable

Una memoria no volátil es reprogramable cuando su contenido se puede variar después de ser programada.

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Metalurgia

La metalurgia es la técnica de la obtención y tratamiento de los metales a partir de minerales metálicos.

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Micral

El Micral es una serie de microcomputadoras producidas por la empresa francesa Réalisation d'Études Électroniques (R2E), comenzando con el Micral N a principios de 1973.

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Modelo EKV

El modelo EKV es un modelo matemático de transistores MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) de efecto campo.

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Modulación por ancho de pulsos

La modulación por ancho de pulsos (también conocida como PWM, siglas en inglés de pulse-width modulation) de una señal o fuente de energía es una técnica en la que se modifica el ciclo de trabajo de una señal periódica (una senoidal o una cuadrada, por ejemplo), ya sea para transmitir información a través de un canal de comunicaciones o para controlar la cantidad de energía que se envía a una carga.

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Nanocables de silicio

Los nanocables de silicio, también conocidos como SiNWs (en inglés), son un tipo de nanocables semiconductores que se forman con mayor frecuencia a partir de un precursor de silicio por ataque químico de un sólido o por crecimiento catalizado a partir de una fase de vapor o líquido.

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National Semiconductor SC/MP

El SC/MP de National Semiconductor es uno de los primeros microprocesadores, y estuvo disponible desde principio de 1974.

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Oscilador Seiler

El Oscilador Seiler es un oscilador Colpitts mejorado pero más difícil a poner a punto.

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Pantalla plana

Una pantalla de panel plano (FPD) es una tecnología de visualización electrónica que permite a las personas ver contenido (imágenes fijas, imágenes en movimiento, texto u otro material visual) en una variedad de entretenimiento, electrónica de consumo, computadora personal y dispositivos móviles, y muchos tipos de equipos médicos, de transporte e industriales.

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Partículas idénticas

Las partículas idénticas son partículas que no pueden ser distinguidas entre sí, incluso en principio.

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PRAM

La memoria de cambio de fase (phase-change RAM, también llamada PRAM, PCRAM, PCM, Ovonic unified memory —memoria ovónica unificada— y C-RAM, de calcógeno) es un tipo de memoria no volátil.

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Puerta AND

La compuerta AND o puerta AND es una puerta lógica digital que implementa la conjunción lógica, se comporta de acuerdo a la tabla de verdad mostrada a la derecha; esta tendrá una salida ALTA (1), únicamente cuando los valores de ambas entradas sean ALTOS.

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Puerta autoalineada

En la tecnología de fabricación de semiconductores electrónicos, una puerta autoalineada es un método de fabricación de transistores por el que el electrodo de puerta de un MOSFET (transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico) se utiliza como máscara para el dopaje de las regiones de fuente y drenaje.

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Puerta metálica

Una puerta metálica, en el contexto de una pila lateral metal-óxido-semiconductor (MOS), es el electrodo de puerta separado por un óxido del canal del transistor: el material de la puerta está hecho de un metal.

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Puerta NOR

La puerta NOR o compuerta NOR es una puerta lógica digital que implementa la disyunción lógica negada, se comporta de acuerdo a la tabla de verdad mostrada a la derecha.

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Quite Universal Circuit Simulator

Quite Universal Circuit Simulator o Qucs, es un simulador de circuitos electrónicos de código abierto cuya licencia de distribución es GNU GPL.

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Rectificador

Un rectificador es el dispositivo electrónico que permite convertir la corriente alterna en corriente continua.

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Relé de estado sólido

Un relé de estado sólido (SSR en inglés) es un dispositivo interruptor electrónico que conmuta el paso de la electricidad cuando una pequeña corriente es aplicada en sus terminales de control.

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Revolución de la información

El término revolución de la información describe las actuales tendencias económicas, sociales y tecnológicas tras la Revolución Industrial.

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Robert H. Dennard

Robert Dennard (nacido el 5 de septiembre de 1932) es un ingeniero eléctrico americano e inventor.

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Símbolo electrónico

Los símbolos electrónicos se utilizan ampliamente para representar los componentes de los circuitos electrónicos.

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Semiconductor

Un semiconductor es un elemento que se comporta o bien como un conductor o bien como un aislante dependiendo de diversos factores, por ejemplo: el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.

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Semiconductor complementario de óxido metálico

El semiconductor complementario de óxido metálico o complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) es una de las familias lógicas empleadas en la fabricación de circuitos integrados.

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Silicio policristalino

Silicio policristalino, también llamado polisilicio, es un material que consiste en pequeños cristales de silicio.

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Silicio tensado

El silicio tensado es una capa de silicio en la que los átomos de silicio se estiran más allá de su distancia interatómica normal.

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SRAM

SRAM son las siglas de la voz inglesa Static Random Access Memory, que significa memoria estática de acceso aleatorio (o RAM estática), para denominar a un tipo de tecnología de memoria RAM basada en semiconductores, capaz de mantener los datos, mientras siga alimentada, sin necesidad de circuito de refresco.

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Tecnología CAD

La tecnología de diseño asistido por computadora (tecnología CAD o TCAD) es una rama derivada de la disciplina de la automatización del diseño electrónico, área del conocimiento encargada de modelar la fabricación de semiconductores y el operamiento de los dispositivos semiconductores.

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Transconductancia

La transconductancia (por conductancia de transferencia), también llamada a veces conductancia mutua, es la característica eléctrica que relaciona la corriente de salida de un dispositivo con la tensión en la entrada del mismo.

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Transistor

El transistor es un dispositivo electrónico utilizado para amplificar o cambiar señales y potencias eléctricas.

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Transistor de ADN de efecto de campo

Un transistor de ADN de efecto de campo (o DNAFET, de DNA field-effect transistor) es un transistor de efecto de campo (FET) que utiliza el efecto de campo generado por las cargas parciales de las moléculas de ADN para actuar como un biosensor.

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Transistor de efecto campo

El transistor de efecto campo (FET, del inglés field-effect transistor) es un transistor que usa el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, por lo que también suele ser conocido como transistor unipolar.

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Transistor de efecto de campo de transición Mott

El transistor de efecto de campo de transición Mott o MTFET (en inglés Mott-Transition Field Effect Transistor) es un transistor que se utiliza para conmutar señales electrónicas.

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Transistor de electrón único

El transistor de electron único es un dispositivo electrónico basado en el efecto.

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Transistor IGBT

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia.

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Transistores HEMT

Los HEMT, acrónimo del inglés High electron mobility transistor (Transistor de alta movilidad de electrones), también conocidos como HFET, acrónimo de Heterostructure FET (FET de Heteroestructura, que a su vez es el acrónimo de Field Effect Trasistor, transistor de efecto de campo) o también MODFET, Modulation-doped FET (Transistor FET de dopado modulado) son un tipo de transistor de efecto de campo que incorporan una unión entre dos materiales con diferentes bandas prohibidas, una heterounión, como canal de conducción en vez de una región dopada como es generalmente el caso de los MOSFET.

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Universidad de El Cairo

La Universidad de El Cairo (en árabe جامعة القاهرة, anteriormente denominada Universidad Egipcia y más tarde Universidad de Fuad) es un instituto de educación superior situado en Guiza, Egipto.

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Vehículo eléctrico

Un vehículo eléctrico es un vehículo propulsado por uno o más motores eléctricos.

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Vishay Intertechnology

Vishay Intertechnology, Inc.

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Voltaje del núcleo de la CPU

El voltaje del núcleo de la CPU (o VCORE) es el voltaje de la electricidad suministrada a la CPU (el cual es un circuito digital), a la GPU o a otro dispositivo que contiene un núcleo de procesamiento.

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Western Design Center

Western Design Center Inc.

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Zen 2

Zen 2 es el nombre en clave para el sucesor de las microarquitecturas Zen y Zen+ de AMD, fabricado con tecnología de nodo de MOSFET de 7 nanómetros de la compañía TSMC y alimentando la tercera generación de procesadores Ryzen, conocidos como Ryzen 3000 para los ''chips'' de escritorio de segmento general y Threadripper 3000 para sistemas de escritorio de alta gama.

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Zen 3

Zen 3 es el nombre en clave de una microarquitectura para procesadores de AMD, cuyo lanzamiento está previsto para el 5 de noviembre de 2020.

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1959

1959 fue un año común comenzado en jueves según el calendario gregoriano.

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Escala MOSFET, MOSFET, Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, Transistor mos.

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