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Unión PN

Índice Unión PN

Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los componentes electrónicos comúnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores.

44 relaciones: Analogía hidráulica, Capacitancia cuántica, Célula fotoeléctrica, Célula fotovoltaica de polímeros, Célula fotovoltaica multiunión, Célula solar de tercera generación, Comunicación por fibra óptica, Concentración de corriente, Constante de Boltzmann, Constante de Planck, Detector de uniones no lineares, Diodo, Diodo láser, Diodo túnel, Dispositivo semiconductor, Dopaje (semiconductores), Ecuación del diodo de Shockley, Electrónica de estado sólido, Enclavamiento (electrónica), Espectrometría retrodispersión de Rutherford, Facultad de Radiofísica, Electrónica y Sistemas Informáticos (Universidad de Kiev), Federico Faggin, Fotodetector, Fotodiodo, Heteroestructura, Límite de Shockley-Queisser, Led, PN, Proceso planar, Robert Hall (físico), Rusia, Russell Ohl, Semiconductor, Silicio cristalino, Sistema fotovoltaico, Telurio, Telururo de cadmio, Tensión de ruptura, Termofotovoltaico, Transistor, Transistor de avalancha, Transistor de efecto campo, Transistor de unión bipolar, William Bradford Shockley.

Analogía hidráulica

La analogía eléctrico hidráulica (conocida despectivamente como la teoría de los desagües por el físico británico Oliver Joseph Lodge (1851-1940)) es un procedimiento utilizado para simular mediante dispositivos hidráulicos el comportamiento de la corriente en un circuito eléctrico.

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Capacitancia cuántica

La capacitancia cuántica, también llamada condensación cuántica o capacitancia química y capacitancia electroquímica C_\bar, es una cantidad presentada por primera vez por Serge Luryi (1988) y se define como la variación de carga eléctrica q, respecto a la variación de potencial electroquímico \bar.

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Célula fotoeléctrica

Una célula fotoeléctrica, también llamada celda solar, célula solar, fotocélula o célula fotovoltaica, es un dispositivo electrónico que permite transformar la energía lumínica (fotones) en energía eléctrica (flujo de electrones libres) mediante el efecto fotoeléctrico, generando energía solar fotovoltaica.

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Célula fotovoltaica de polímeros

Las células fotovoltaicas de polímeros, es una tecnología de células solares orgánicas que producen electricidad a partir de la luz con la ayuda de polímeros semiconductores.

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Célula fotovoltaica multiunión

Una célula fotovoltaica multiunión es una célula solar con múltiples uniones p-n de diferentes materiales semiconductores.

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Célula solar de tercera generación

Una célula fotovoltaica de tercera generación es una célula solar que es potencialmente capaz de superar el límite de Shockley–Queisser de eficiencia energética del 31-41% para células solares individuales de banda prohibida.

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Comunicación por fibra óptica

La comunicación por fibra óptica es un método de transmisión de información de un lugar a otro enviando señales de pulso de luz a través de fibra óptica.

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Concentración de corriente

La concentración de corriente (también llamado efecto de la concentración de corriente, o CCE (Current crowding Effect) es una distribución no homogénea de la densidad de corriente a través de un conductor o semiconductor, especialmente en las proximidades de los contactos y en los uniones PN. La concentración de corriente es uno de los factores limitantes de la eficiencia de los diodos emisores de luz. Materiales con una baja movilidad de portadores de carga, como por ejemplo el Arseniuro de galio-aluminio, son especialmente propensos a fenómenos concentración de corriente. Es un mecanismo de pérdida dominante en algunos, donde las densidades de corriente, especialmente alrededor de los contactos del lado P, alcanzan la parte de las características de emisión con menor eficiencia de brillo/corriente. La concentración de corriente puede provocar un sobrecalentamiento localizado y formación de puntos calientes termales que, en casos catastróficos, conducen a la fuga térmica. La distribución no homogénea de la corriente también agrava los efectos de la electromigración y la formación de vacíos (véase, por ejemplo, el efecto Kirkendall). La formación de vacíos provoca la no homogeneidad localizada de la densidad de corriente, y el aumento de la resistencia alrededor del vacío causa un aumento de la temperatura localizada adicional, que a su vez acelera la formación del vacío. A la inversa, la disminución localizada de la densidad de corriente puede conducir a la deposición de los átomos migrados, lo que lleva a una mayor disminución de la densidad de corriente y una mayor deposición del material y la formación de montículos, lo que puede causar cortocircuitos. En los transistores bipolares grandes la resistencia de la capa base influye en la distribución de la densidad de corriente a través de la región base, especialmente en el lado del emisor. La concentración de corriente se produce especialmente en las zonas de menor resistencia localizada, o en áreas donde se concentra la intensidad de campo (por ejemplo en los bordes de capas).

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Constante de Boltzmann

La constante de Boltzmann es la constante física que relaciona temperatura absoluta y energía.

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Constante de Planck

La constante de Planck es una constante física que desempeña un papel central en la teoría de la mecánica cuántica y recibe su nombre de su descubridor, el físico y matemático alemán Max Planck, uno de los padres de dicha teoría.

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Detector de uniones no lineares

Un detector de uniones no-lineales, o NLJD (en sus iniciales en inglés), es un dispositivo que irradia una pequeña región de espacio con radiación RF de alta frecuencia.

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Diodo

Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido, bloqueando el paso si la corriente circula en sentido contrario, no solo sirve para la circulación de corriente eléctrica sino que este la controla y resiste.

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Diodo láser

Un diodo láser (DL) es un dispositivo semiconductor similar a un ledHasta el año 2001, «led» se escribía en español como una sigla: con mayúsculas y sin plural (un LED, dos LED).

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Diodo túnel

El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión ''pn'', en la cual se produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la característica corriente-tensión.

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Dispositivo semiconductor

Un dispositivo semiconductor es un componente electrónico que emplea las propiedades electrónicas de los materiales semiconductores, principalmente del silicio, el germanio y el arseniuro de galio, así como de los semiconductores orgánicos.

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Dopaje (semiconductores)

En la producción de semiconductores, se le denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor (abreviadamente, SC) extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas.

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Ecuación del diodo de Shockley

La ecuación del diodo de Shockley es el modelo matemático más empleado para el estudio del diodo.

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Electrónica de estado sólido

La electrónica de estado sólido se ocupa de aquellos circuitos o dispositivos construidos totalmente de materiales sólidos y en los que los electrones, u otros portadores de carga, están confinados enteramente dentro del material sólido.

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Enclavamiento (electrónica)

El enclavamiento (latch-up) es un término usado en el mundo de los circuitos integrados para describir un tipo particular de cortocircuito que puede ocurrir en un circuito eléctrico mal diseñado.

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Espectrometría retrodispersión de Rutherford

La Espectrometría retrodispersión de Rutherford (ERR) es una técnica analítica utilizada en ciencia de materiales.

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Facultad de Radiofísica, Electrónica y Sistemas Informáticos (Universidad de Kiev)

La Facultad de Radio Física, Electrónica y Sistemas Informáticos es una parte de La Universidad de Kiev o Universidad Nacional de Kiev Taras Shevchenko.

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Federico Faggin

Federico Faggin (Vicenza, Italia; 1 de diciembre de 1941), es un ingeniero eléctrico y físico italiano nacionalizado estadounidense conocido por ser el diseñador del primer microprocesador comercial.

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Fotodetector

Un fotodetector es un sensor que genera una señal eléctrica dependiente de la luz u otra radiación electromagnética que recibe.

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Fotodiodo

Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja.

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Heteroestructura

Heteroestructura es la unión de dos materiales semiconductores distintos.

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Límite de Shockley-Queisser

En física, el límite Shockley-Queisser o límite de balance detallado designa a la máxima eficiencia teórica de una célula fotoeléctrica basada en una unión p-n. El cálculo fue desarrollado por William Shockley y Hans Queisser en Shockley Semiconductor en 1961.

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Led

Un diodo emisor de luz o led (también conocido por la sigla LED, del inglés light-emitting diode) es una fuente de luz constituida por un material semiconductor dotado de dos terminales.

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PN

PN puede referirse a.

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Proceso planar

El proceso planar es un proceso de manufactura usado en la industria de semiconductores para construir componentes individuales de un transistor, y a su vez se conectaran a otros transistores.

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Robert Hall (físico)

Robert N. Hall (New Haven, Connecticut, 25 de diciembre de 1919 – 7 de noviembre de 2016) fue un prolífico físico e inventor.

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Rusia

Rusia, (inglés, ruso, francés, alemán).

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Russell Ohl

Russell Ohl (Allentown, Pensilvania, 30 de enero de 1898-marzo de 1987) fue un ingeniero estadounidense reconocido generalmente por patentar la célula solar moderna (Patente de EE.UU. 2.402.662, "dispositivo sensible a la luz").

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Semiconductor

Un semiconductor es un elemento que se comporta o bien como un conductor o bien como un aislante dependiendo de diversos factores, por ejemplo: el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.

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Silicio cristalino

El silicio cristalino (c-Si) es la forma cristalina del silicio, ya sea silicio policristalino (multi-Si) que consiste en pequeños cristales, o silicio monocristalino (mono-Si), un cristal continuo.

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Sistema fotovoltaico

Un sistema fotovoltaico, también sistema FV o sistema de energía solar, es un sistema de energía diseñado para suministrar energía solar utilizable por medio de la energía fotovoltaica. Consiste en una disposición de varios componentes, incluidos los paneles solares para absorber y convertir la luz solar en electricidad, un inversor solar para convertir la salida de corriente continua a corriente alterna, así como el montaje, el cableado y otros accesorios eléctricos para establecer un sistema de trabajo. También puede utilizar un sistema de seguimiento solar para mejorar el rendimiento general del sistema e incluir una solución de batería integrada, ya que se espera que los precios de los dispositivos de almacenamiento bajen. En sentido estricto, un conjunto solar sólo abarca el conjunto de paneles solares, la parte visible del sistema fotovoltaico, y no incluye todo el resto del hardware, a menudo resumido como balance del sistema (BOS). Como los sistemas fotovoltaicos convierten la luz directamente en electricidad, no deben confundirse con otras tecnologías solares, como la energía solar concentrada o la energía solar térmica, utilizadas para la calefacción y la refrigeración. Los van desde los pequeños, montados en tejados o integrados en edificios, con capacidades de unos pocos a varias decenas de kilovatios, hasta las grandes centrales eléctricas de cientos de megavatios. Hoy en día, la mayoría de los sistemas fotovoltaicos están conectados a la red, mientras que los sistemas aislados representan una pequeña parte del mercado. Los sistemas fotovoltaicos, que funcionan de forma silenciosa y sin piezas móviles ni emisiones ambientales, han pasado de ser aplicaciones de nicho de mercado a una tecnología madura utilizada para la generación de electricidad en general. Un sistema en el tejado recupera la energía invertida en su fabricación e instalación en un plazo de 0,7 a 2 años y produce alrededor del 95% de energía renovable limpia neta a lo largo de una vida útil de 30 años:30 Debido al crecimiento de la energía fotovoltaica, los precios de los sistemas fotovoltaicos han disminuido rápidamente desde su introducción. Sin embargo, varían según el mercado y el tamaño del sistema. En 2014, los precios de los sistemas residenciales de 5 kilovatios en Estados Unidos rondaban los 3,29 dólares por vatio, mientras que en el mercado alemán, muy penetrado, los precios de los sistemas sobre tejado de hasta 100 kW bajaron a 1,24 euros por vatio. Hoy en día, los módulos fotovoltaicos representan menos de la mitad del coste total del sistema, dejando el resto a los demás componentes del BOS y a los costes blandos, que incluyen la adquisición de clientes, la obtención de permisos, la inspección y la interconexión, la mano de obra de la instalación y los costes de financiación.

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Telurio

El telurio o teluro (del latín tellus, 'Tierra') es un elemento químico cuyo símbolo es Te y su número atómico es 52.

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Telururo de cadmio

El telururo de cadmio (CdTe) es compuesto cristalino formado por cadmio y telurio.

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Tensión de ruptura

La tensión de ruptura o voltaje de ruptura de un material no conductor o aislante eléctrico es el voltaje mínimo necesario para que una parte del aislante se convierta en conductora.

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Termofotovoltaico

La conversión de energía termofotovoltaica (TPV en inglés) es un proceso de conversión directa de calor diferencial a electricidad por medio de fotones.

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Transistor

El transistor es un dispositivo electrónico utilizado para amplificar o cambiar señales y potencias eléctricas.

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Transistor de avalancha

Un transistor de avalancha es un transistor de unión bipolar diseñado para la operación en su rango característico de colector de corriente/voltaje en colector-emisor, más allá de su voltaje de ruptura llamado región de quiebre de avalancha Esta región caracterizada por el quiebre de avalancha, el cual es un fenómeno similar a la descarga de Townsend para los gases y resistencia diferencial negativa.

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Transistor de efecto campo

El transistor de efecto campo (FET, del inglés field-effect transistor) es un transistor que usa el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, por lo que también suele ser conocido como transistor unipolar.

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Transistor de unión bipolar

El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales.

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William Bradford Shockley

William Bradford Shockley (13 de febrero de 1910 - 12 de agosto de 1989) fue un físico estadounidense.

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Union PN, Unión p-n.

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