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25 relaciones: Amorfo, Anfígeno, Antimonio, CD-RW, Cristalino, Cristalización, Diodo, Director de tecnología, DRAM, DVD-RW, EEPROM, Estructura MOS, Germanio, Germanio-antimonio-telurio, Gordon Moore, Información, Memoria no volátil, Memoria programable de solo lectura, Punto de fusión, Resistencia eléctrica, Resistividad, Sistemas microelectromecánicos, Telurio, Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor, Transistor de unión bipolar.
Amorfo
Amorfo (del griego, prefijo a, negación, y la palabra morfo, forma; literalmente, sin forma.) es una de las estructuras que pueden adoptar los materiales en estado líquido, sólido y estado gaseoso.
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Anfígeno
El grupo de los anfígenos, también llamado familia del oxígeno, es el grupo conocido antiguamente como VI A, y actualmente el grupo 16 (según la IUPAC).
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Antimonio
El antimonio es un elemento químico que forma parte del grupo de los metaloides de número atómico 51 situado en el grupo 15 de la tabla periódica de los elementos.
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CD-RW
El disco compacto regrabable, conocido por las siglas CD-RW (del inglés Compact Disc - ReWritable, originalmente R y W se usaban como los atributos del CD, que significan "read" y "write", lectura y escritura) es un tipo soporte digital en disco óptico utilizado para almacenar cualquier tipo de información.
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Cristalino
El cristalino es una estructura del ojo humano con forma de lente biconvexa que está situado tras el iris y delante del humor vítreo.
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Cristalización
La cristalización es un proceso físico por el cual se forma un sólido, el cristal, a partir de un gas, un líquido o una disolución, en el que los iones, átomos o moléculas están altamente organizados, al establecerse enlaces formando una red cristalina.
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Diodo
Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido, bloqueando el paso si la corriente circula en sentido contrario, no solo sirve para la circulación de corriente eléctrica sino que este la controla y resiste.
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Director de tecnología
El rol de director de tecnología —o también CTO (del inglés chief technical officer o chief technology officer)— es una posición ejecutiva dentro de una organización en el que la persona que ostenta el título se concentra en asuntos tecnológicos y científicos.
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DRAM
La memoria dinámica de acceso aleatorio o DRAM (del inglés dynamic random-access memory) es un tipo de tecnología de memoria de acceso aleatorio (RAM) basada en condensadores, los cuales pierden su carga progresivamente, necesitando de un circuito dinámico de refresco que, cada cierto período, revisa dicha carga y la repone en un ciclo de refresco.
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DVD-RW
El DVD-RW, en inglés: DVD-ReWritable, o DVD-Regrabable es un tipo de DVD regrabable o borrable, que permite grabar y borrar un número determinado de veces.
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EEPROM
EEPROM o E²PROM son las siglas de Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable y borrable eléctricamente).
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Estructura MOS
Una estructura MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) es un dispositivo electrónico formado por un sustrato de silicio dopado, sobre el cual se hace crecer una capa de óxido (SiO2).
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Germanio
El germanio (latín: Germanium) es un elemento químico con número atómico 32, y símbolo Ge perteneciente al período 4 de la tabla periódica de los elementos.
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Germanio-antimonio-telurio
El GeSbTe (germanio-antimonio-telurio o GST) es un material de cambio de fase del grupo de los vidrios calcogenuros utilizado en discos ópticos regrabables y aplicaciones de memoria de cambio de fase.
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Gordon Moore
Gordon Earl Moore (San Francisco, 3 de enero de 1929-Hawái, 24 de marzo de 2023) fue un emprendedor, químico, filántropo, ingeniero y físico estadounidense, cofundador de Intel y autor de la Ley de Moore.
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Información
Información es el nombre por el que se conoce un conjunto organizado de datos procesados que constituyen un mensaje que cambia el estado de conocimiento del sujeto o sistema que recibe dicho mensaje.
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Memoria no volátil
Memoria no volátil, contrario a memoria volátil, es un tipo de memoria que no necesita energía para mantener guardada la información en ella.
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Memoria programable de solo lectura
La memoria programable de solo lectura o PROM (del inglés programmable read-only memory) es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o antifusible), que puede ser quemado una sola vez.
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Punto de fusión
El punto de fusión (o, raramente, el punto de licuefacción) de una sustancia es la temperatura a la que cambia de estado de sólido a líquido.
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Resistencia eléctrica
En electricidad, se le denomina resistencia a la oposición al flujo de corriente eléctrica a través de un conductor.
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Resistividad
La resistividad es la resistencia eléctrica específica de un determinado material.
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Sistemas microelectromecánicos
El término sistemas microelectromecánicos o SMEM —del inglés microelectromechanical systems (MEMS)— se refiere a la tecnología electromecánica de dispositivos microscópicos, sobre todo los que tiene partes móviles.
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Telurio
El telurio o teluro (del latín tellus, 'Tierra') es un elemento químico cuyo símbolo es Te y su número atómico es 52.
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Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.
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Transistor de unión bipolar
El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales.
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