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18 relaciones: Arseniuro de galio, Boro, Circuito integrado, Conductividad, Dopaje (semiconductores), Fósforo, Germanio, Hueco de electrón, Oblea, Planta de fabricación de semiconductores, Portador de carga, Semiconductor, Semiconductor orgánico, Silicio, Silicio monocristalino, Substrato (electrónica), Unión PN, Válvula termoiónica.
Arseniuro de galio
El arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de galio y arsénico.
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Boro
El boro es un elemento químico de la tabla periódica de los elementos que tiene el símbolo B y número atómico 5, su masa es de 10,811.
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Circuito integrado
Un circuito integrado (CI), también conocido como chip o microchip, es una estructura de pequeñas dimensiones de material semiconductor, normalmente silicio, de algunos milímetros cuadrados de superficie (área), sobre la que se fabrican circuitos electrónicos generalmente mediante fotolitografía y que está protegida dentro de un encapsulado plástico o de cerámica.
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Conductividad
El término conductividad puede aludir, en esta enciclopedia.
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Dopaje (semiconductores)
En la producción de semiconductores, se le denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor (abreviadamente, SC) extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas.
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Fósforo
El fósforo es un elemento químico de número atómico 15 y símbolo P. El nombre proviene del griego φώς ‘luz’ y φόρος ‘portador’.
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Germanio
El germanio (latín: Germanium) es un elemento químico con número atómico 32, y símbolo Ge perteneciente al período 4 de la tabla periódica de los elementos.
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Hueco de electrón
Un hueco de electrón, o simplemente hueco, es la ausencia de un electrón en la banda de valencia que estaría normalmente completa sin el «hueco».
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Oblea
Una oblea (también llamada wafer) es un pastel que data de la Edad Media, de forma delgada y redonda, compuesta de harina y agua, leche o vino blanco con huevos, azúcar y a veces, miel.
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Planta de fabricación de semiconductores
Una planta de fabricación de semiconductores, también conocida por el acrónimo fab, es una fábrica donde se producen circuitos integrados.
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Portador de carga
Portador de carga denota en física una partícula libre (móvil y no enlazada) portadora de una carga eléctrica.
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Semiconductor
Un semiconductor es un elemento que se comporta o bien como un conductor o bien como un aislante dependiendo de diversos factores, por ejemplo: el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.
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Semiconductor orgánico
Un semiconductor orgánico es un compuesto orgánico bajo la forma de un cristal o un polímero, que muestra propiedades similares a las de los semiconductores inorgánicos.
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Silicio
El silicio (del latín: sílex) es un elemento químico metaloide, número atómico 14 y situado en el grupo 14 de la tabla periódica de los elementos de símbolo Si.
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Silicio monocristalino
El silicio monocristalino, cristal único de Si o mono-SI es el material base de la industria electrónica y está compuesto de silicio en el que la estructura cristalina de la totalidad del sólido es continua, ininterrumpida (sin bordes de grano) a sus bordes.
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Substrato (electrónica)
Un sustrato (también llamado una oblea) es un sólido (generalmente una sustancia plana) sobre la que se aplica una capa de otra sustancia y que a la que se adhiere esta segunda sustancia.
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Unión PN
Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los componentes electrónicos comúnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores.
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Válvula termoiónica
La válvula termoiónica, también llamada válvula electrónica, válvula de vacío, tubo de vacío o bulbo, es un componente electrónico utilizado para amplificar, conmutar, o modificar una señal eléctrica mediante el control del movimiento de los electrones en un espacio vacío a muy baja presión, o en presencia de gases especialmente seleccionados.
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