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Componente electrónico y Transistor IGBT

Accesos rápidos: Diferencias, Similitudes, Coeficiente de Similitud Jaccard, Referencias.

Diferencia entre Componente electrónico y Transistor IGBT

Componente electrónico vs. Transistor IGBT

Un componente electrónico es un dispositivo que forma parte de un circuito electrónico. El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia.

Similitudes entre Componente electrónico y Transistor IGBT

Componente electrónico y Transistor IGBT tienen 5 cosas en común (en Unionpedia): Semiconductor, Tiristor, Transistor, Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor, Transistor de unión bipolar.

Semiconductor

Un semiconductor es un elemento que se comporta o bien como un conductor o bien como un aislante dependiendo de diversos factores, por ejemplo: el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.

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Tiristor

El tiristor (gr.: puerta) es una familia de componentes electrónicos constituido por elementos semiconductores que utiliza realimentación interna para producir una conmutación.

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Transistor

El transistor es un dispositivo electrónico utilizado para amplificar o cambiar señales y potencias eléctricas.

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Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.

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Transistor de unión bipolar

El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales.

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La lista de arriba responde a las siguientes preguntas

Comparación de Componente electrónico y Transistor IGBT

Componente electrónico tiene 98 relaciones, mientras Transistor IGBT tiene 22. Como tienen en común 5, el índice Jaccard es 4.17% = 5 / (98 + 22).

Referencias

En este artículo se encuentra la relación entre Componente electrónico y Transistor IGBT. Si desea acceder a cada artículo del que se extrajo la información visite:

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