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28 relaciones: Antimonio, Arsano, Arsénico, Boro, Canal iónico, Carcinógeno, Ciencia de materiales, Combustibilidad e inflamabilidad, Corrosión, Dopaje (semiconductores), Electronvoltio, Epitaxia, Estructura cristalina, Fabricación de circuitos integrados, Fósforo, Fosfano, Ingeniería de materiales, Ion, Oblea (electrónica), Parámetro de red, Pulverización catódica, Radioisótopo, Recocido, Sólido amorfo, Silicio, Silicio sobre aislante, Toxicidad, Vidrio.
Antimonio
El antimonio es un elemento químico que forma parte del grupo de los metaloides de número atómico 51 situado en el grupo 15 de la tabla periódica de los elementos.
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Arsano
El arsano, arsina o hidruro de arsénico (AsH3) es un compuesto inorgánico gaseoso a temperatura ambiente, es inflamable y altamente tóxico, constituido de hidrógeno y arsénico.
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Arsénico
El arsénico es un elemento químico de la tabla periódica que pertenece al grupo de los metaloides, también llamados semimetales; se puede encontrar de diversas formas aunque, raramente, se encuentra en estado sólido.
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Boro
El boro es un elemento químico de la tabla periódica de los elementos que tiene el símbolo B y número atómico 5, su masa es de 10,811.
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Canal iónico
Los canales iónicos son un tipo de proteína transmembrana que permite el paso de iones específicos, a través de la membrana celular.
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Carcinógeno
Un carcinógeno o cancerígeno es un agente físico, químico o biológico potencialmente capaz de producir cáncer al exponerse a tejidos vivos.
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Ciencia de materiales
La ciencia de materiales es la disciplina científica encargada de investigar la relación entre la estructura y las propiedades de los materiales.
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Combustibilidad e inflamabilidad
Un material combustible es un material que puede arder (es decir, sostener una llama) en el aire bajo ciertas condiciones.
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Corrosión
La corrosión se define como el deterioro de un material a consecuencia de un ataque electroquímico por parte de su entorno.
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Dopaje (semiconductores)
En la producción de semiconductores, se le denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor (abreviadamente, SC) extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas.
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Electronvoltio
El electronvoltio (símbolo eV) es una unidad de energía que representa la variación de energía que experimenta un electrón al moverse desde un punto de potencial Va hasta un punto de potencial Vb cuando la diferencia Vba.
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Epitaxia
La epitaxia o crecimiento epitaxial es uno de los procesos en la fabricación de circuitos integrados.
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Estructura cristalina
La estructura cristalina es la forma sólida de cómo se ordenan y empaquetan los átomos, moléculas, o iones.
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Fabricación de circuitos integrados
La fabricación de circuitos integrados es el proceso mediante el cual se crean circuitos integrados, presentes hoy día en todos los dispositivos electrónicos.
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Fósforo
El fósforo es un elemento químico de número atómico 15 y símbolo P. El nombre proviene del griego φώς ‘luz’ y φόρος ‘portador’.
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Fosfano
El fosfano (PH3) es un gas incoloro, inflamable, que explota a temperatura ambiente y que huele a ajo.
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Ingeniería de materiales
La ingeniería de materiales es una rama de la ingeniería que se fundamenta en las relaciones propiedades-estructura y diseña o proyecta la estructura de un material para conseguir un conjunto predeterminado de propiedades.
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Ion
Un ion (tomado del inglés y este del griego ἰών, «que va»; hasta 2010, también escrito ión en español) es una partícula cargada eléctricamente constituida por un átomo o molécula que no es eléctricamente neutro.
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Oblea (electrónica)
En microelectrónica, una oblea o lámina es una placa fina de un material semiconductor, por ejemplo el silicio, con la que construyen microcircuitos mediante técnicas de dopado (por ejemplo, difusión o implantación de iones), grabado químico y deposición de varios materiales.
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Parámetro de red
Un parámetro de red es una distancia o un ángulo que define geométricamente a la celda unitaria con respecto a su estructura cristalina.
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Pulverización catódica
La pulverización catódica (o por su designación en inglés: sputtering) es un proceso físico en el que se produce la vaporización de los átomos de un material sólido denominado "blanco" mediante el bombardeo de este por iones energéticos.
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Radioisótopo
Un radioisótopo (radionucleido, radionúclido, nucleido radioactivo o isótopo radiactivo) es un átomo que tiene un exceso de energía nuclear, lo que lo hace inestable.
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Recocido
El recocido es un tratamiento térmico cuya finalidad es el ablandamiento, la recuperación de la estructura o la eliminación de tensiones internas generalmente en metales.
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Sólido amorfo
El sólido amorfo es un estado sólido de la materia, en el que las partículas que conforman el sólido no poseen una estructura ordenada.
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Silicio
El silicio (del latín: sílex) es un elemento químico metaloide, número atómico 14 y situado en el grupo 14 de la tabla periódica de los elementos de símbolo Si.
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Silicio sobre aislante
Silicio sobre aislante (SOI, silicon on insulator) es una tecnología de fabricación microelectrónica en la que se sustituye el sustrato tradicional de fabricación de obleas de silicio monocristalino, por un sándwich de capas de semiconductor, aislante y semiconductor.
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Toxicidad
La toxicidad es la capacidad de una sustancia química de producir efectos perjudiciales sobre un ser vivo y el ambiente que lo rodea, al entrar en contacto con él.
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Vidrio
El vidrio es un material inorgánico duro, frágil, transparente y amorfo que se encuentra en la naturaleza, aunque también puede ser producido por el ser humano.
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