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Capacidad de compuerta

Índice Capacidad de compuerta

La capacidad de compuerta o capacidad de puerta es la capacidad del terminal de la compuerta de un transistor de efecto de campo.

7 relaciones: Capacidad eléctrica, Circuito integrado, Constante dieléctrica, Dieléctrico de puerta, Permitividad, Transistor de efecto campo, Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor.

Capacidad eléctrica

En electromagnetismo y electrónica, la capacidad eléctrica es la propiedad que tienen los cuerpos para mantener una carga eléctrica.

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Circuito integrado

Un circuito integrado (CI), también conocido como chip o microchip, es una estructura de pequeñas dimensiones de material semiconductor, normalmente silicio, de algunos milímetros cuadrados de superficie (área), sobre la que se fabrican circuitos electrónicos generalmente mediante fotolitografía y que está protegida dentro de un encapsulado plástico o de cerámica.

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Constante dieléctrica

La constante dieléctrica o permitividad relativa (\varepsilon_r) de un medio continuo es una propiedad macroscópica de un medio dieléctrico relacionado con la permitividad eléctrica del medio.

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Dieléctrico de puerta

El óxido de puerta es la capa dieléctrica que separa el terminal de puerta de un MOSFET (transistor semiconductor de óxido metálico de efecto de campo) de los terminales de fuente y drenaje subyacentes, así como el canal conductor que conecta la fuente y el drenaje cuando el transistor está encendido.

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Permitividad

La permitividad eléctrica (llamada también constante dieléctrica para dieléctricos homogéneos) es un parámetro físico de los materiales que describe cuánto son afectados por un campo eléctrico.

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Transistor de efecto campo

El transistor de efecto campo (FET, del inglés field-effect transistor) es un transistor que usa el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, por lo que también suele ser conocido como transistor unipolar.

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Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.

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